技术编号：12275109
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种同轴自旋注入器件，它主要由一维自旋传输沟道与同轴环绕该自旋沟道的隧穿层及铁磁电极构成，利用自旋极化散射机制实现自旋注入，属于自旋电子器件领域。背景技术随着自旋电子学的发展，自旋注入成为一种越来越重要的技术。当电流通过铁磁电极/隧穿层/自旋沟道/隧穿层/铁磁电极构成的横向自旋阀，由于电子通过铁磁电极与隧穿层的几率将依赖于其自旋方向，因此通过控制铁磁电极的磁化方向以及选择合适的隧穿层，就可以在自旋沟道中注入特定自旋方向的电子，实现自旋累积。进一步地，借助自旋转移矩等自旋相互作用机制以及...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。