技术编号:12275126
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。全门N纳米丝器件以及该器件的制造方法发明领域本文涉及用于制造半导体器件的方法,更具体地,涉及用于制造全门(GAA)半导体器件的方法。本文还涉及全门(GAA)半导体器件,更具体地,涉及全门(GAA)纳米结构半导体器件。背景技术增加的芯片密度是半导体工业的主力。现如今,半导体工业正从平面器件转向全耗尽架构,例如FinFET器件。当规模小至10nm技术节点以及更低时,作为FinFET器件产生问题(例如,寄生现象,定标/图案化),开发了其他可能的器件。全门(GAA)纳米丝(NW)器件是有希望在下一代技术...
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