技术编号:12275163
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光伏太阳能电池技术领域,尤其是一种薄膜太阳能电池背电极制备方法。背景技术随着能源的日益短缺,人们对太阳能的开发和利用日趋重视。市场上对面积更大、效率更高,且生产成本更低的新型太阳能电池的需求日益增加。在光伏电池领域,硅基薄膜、碲化镉(CdTe)薄膜、CIGS薄膜太阳电池因其本身固有的材料性能和他的发展进程、便于大面积连续化生产等优点,受到广泛关注。背电极对于薄膜太阳能电池的性能至关重要,要求背电极有良好的电学性能,多薄膜太阳能电池的电流有良好的运输能力,现有的技术一般采用TCO(透明导...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。