技术编号:12275262
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体发光装置。更特别地,本发明涉及一种超辐射发光二极管。背景技术近年来,超辐射发光二极管(以下被称为SLD)已经引人注目。众所周知,可以通过使放大的受激发射光谐振并且还利用低注入电流来使所发射出的光振荡,来使半导体激光发射具有非常窄的谱半宽和高输出功率的高相干光,而且可以通过利用自发发射来使发光二极管(LED)发射具有宽的照射角度的光。不像这些装置那样,SLD的特征在于:尽管SLD涉及受激放大,但是SLD通过使用不使所发射出的光在高电流注入的状态下谐振的结构来发射具有宽的谱半宽和...
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