技术编号:12275287
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种SiC或Si图案衬底上生长的粗化倒装GaAs基LED外延片及其制备方法,属于光电子技术领域。背景技术在芯片领域,为了避免正装芯片中因电极挤占发光面积从而影响发光效率,倒装芯片技术特别是在大功率、外照明、城市亮化工程的应用市场上逐渐使用。在现有技术中,GaAs基LED都是在GaAs衬底上外延生长制备的。正装结构由于p、n电极在LED同一侧,容易出现电流拥挤现象,而且热阻较高,降低内量子效率。未来灯具成本的降低除了材料成本,功率做大减少LED颗数显得尤为重要,倒装结构能够很好的满足这样...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。