技术编号：12275297
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管芯片及其制备方法。背景技术近年来，具备高亮度特性的倒装AlGaInP发光二极管(英文：LightEmitingDiode，简称LED)的应用领域日趋广泛，市场需求不断扩大。倒装AlGaInPLED芯片自下而上包括基板、反射层、P型欧姆接触层、P型电流扩展层、P型限制层、有源层、N型限制层、N型电流扩展层、N型欧姆接触层。在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：反射层一般为由高折射率的金属反射层(如Au、Ag)和低折射率的氧化物反射...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。