技术编号:12283980
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氧化物介电体及其制造方法、以及固态电子装置及其制造方法。背景技术以往,开发出由具有功能性的各种组成构成的氧化物层。另外,作为具备该氧化物层的固态电子装置的一例,已开发出一种具备可期待高速动作的强介电体薄膜的装置。此外,关于固态电子装置所用介电体材料,作为不含Pb而能以相对较低温来烧制的氧化物层,已开发出BiNbO4。针对该BiNbO4,已报告了利用固相成长法形成的BiNbO4的介电特性(非专利文献1)。此外,专利文献中也公开了一种在1KHz的相对介电常数为60以上(最大180)这样的介...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。