技术编号:12285574
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种基于切克劳斯基法(Czochralskimethod,以下简称为CZ法)的单晶硅的生长方法。背景技术以往,在基于CZ法的单晶硅的制造中,将小片的单晶硅作为晶种使用,使其与原料熔融液(硅熔融液)接触后,一边使其旋转一边缓慢地进行提拉,从而生长单晶硅棒(单晶硅锭(ingot))。此时,在使晶种与原料熔融液接触(引晶、下种)后,为了消除从因热冲击在晶种中高密度地发生的滑移位错(スリップ転位)(也简称为滑移)通过传播而产生的位错,多是进行所谓的种收束(缩颈(necking)),种收束(缩颈...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。