技术编号:12286928
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明大体上涉及用于通过基于来自光学检验及光学重检的组合属性将在晶片上检测到的缺陷分离为级别且对来自所述级别的缺陷取样以产生缺陷样本用于电子束重检而对缺陷取样用于电子束重检的方法及系统。背景技术以下描述及实例并非由于在其包含于此段落中而被认为是现有技术。在半导体制造工艺期间的各个步骤使用检验过程以检测晶片上的缺陷以促进所述制造工艺中的较高良率且因此实现较高收益。检验一直是制作半导体装置的重要部分。然而,随着半导体装置的尺寸减小,检验对可接受的半导体装置的成功制造变得更重要,这是因为较小缺陷可致使...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。