技术编号：12288707
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及一种用于薄膜沉积设备的内部构件及其制造方法，更具体地，涉及用于在真空室中通过物理气相沉积法例如溅射法沉积薄膜或金属化合物以在基板上形成电路图案的设备的内部构件及其制造方法。背景技术通常，半导体器件通过在半导体基板例如晶片上形成电路图案来制造。例如，通过包括真空沉积法的方法形成电路图案。在此，导线或电极通过使用导电材料例如铝(Al)、钛(Ti)、钼(Mo)、钨(W)或金属化合物例如硅化钼(MoSi2)、氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)将导电薄膜沉积于半导体基板上来形成。在真空沉积法中，...
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