技术编号:12288714
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。用于控制准分子激光退火的监测方法和装置相关申请的交叉引用本申请要求2014年3月3日提交的美国专利申请系列No.14/195,656的优先权,该申请的内容作为整体以引用方式并入本文。技术领域本发明总体涉及通过脉冲激光辐射使薄硅(Si)层熔融和再结晶。该方法特别涉及评价再结晶层的方法。背景技术硅结晶是制造薄层晶体管(TFT)有源矩阵LCD和有机LED(AMOLED)显示器的常用步骤。晶体硅形成半导体基材,其中显示器的电子电路是通过传统的光刻工艺形成的。通常,使用在长线(longline)上成型的脉...
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