技术编号:12288736
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明的各种技术方案和实施方式涉及等离子体处理方法和等离子体处理装置。背景技术在半导体的制造工艺中广泛采用执行以薄膜的堆积或蚀刻等为目的的等离子体处理的等离子体处理装置。作为等离子体处理装置,可列举出例如进行薄膜的堆积处理的等离子体CVD(ChemicalVaporDeposition,化学气相沉积)装置、进行蚀刻处理的等离子体蚀刻装置等。不过,在等离子体处理装置中,配置于腔室内的构件(以下适当称为“腔室内构件”)在进行各种等离子体处理之际暴露于处理气体的等离子体,因此,要求耐等离子体性。在这点...
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