技术编号：12288764
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置的制造方法，特别地，涉及含有高散热材料的电力用等的半导体装置的制造方法，该高散热材料与封装树脂相比，针对功率芯片、散热件以及半导体元件(Si/SiC等)处产生的热的热传导率大。背景技术就电力用等的半导体装置而言，确保高绝缘性、并且将功率芯片处产生的热高效地向外部进行散热是非常重要的。为了提高散热性能，期望使功率芯片下侧的绝缘层变薄，但如果使绝缘层变薄，则担心绝缘特性劣化。另外，在由1种树脂对整体进行全模塑的构造中，由于使绝缘层越薄，则树脂绕入至绝缘层形成部的状况越差，模塑...
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