技术编号:12288909
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及混合型全背接触式太阳能电池及其制造方法。背景技术在典型的工业硅晶片太阳能电池中,使用了p型硅晶片。过剩电荷载流子分离通常通过全区域扩散p/n+同质结(少数载流子收集)和全区域扩散p/p+同质结(多数载流子收集)来实现;并且可以分别通过高温热扩散工艺和高温触点烧制(以产生太阳能电池的发射极和背表面场(BSF)区域)来形成。为了提高电池效率,可以使用n型Si晶片。这样,可以避免在p型Cz硅中观察到的光致衰退(归因于亚稳态硼-氧复合物)。此外,因为电子捕获系数通常高于晶体硅中的空穴捕获系数,...
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