技术编号：12288968
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。制造有机晶体管的方法和有机晶体管本发明涉及制造有机晶体管的方法和有机晶体管。背景技术垂直有机场效应晶体管(VOFET)(通常为场效应晶体管)由三个电极即栅极、源极和漏极形成。在VOFET中，源极和漏极通过有机半导体彼此连接。栅极通过绝缘体与源极和漏极分开。VOFET被认为是用于AMOLED(AMOLED-有源矩阵有机发光二极管)背板技术的潜在器件。由于其垂直沟道几何形状，垂直晶体管概念被认为优于水平薄膜晶体管(OTFT)，因为其提供高的通态电流。然而，仍要显示足够的开/关比、对绝缘体材料的特定性...
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