技术编号:12304646
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路领域,尤指一种偏置电流产生电路。背景技术常用的简单的偏置电流产生电路,即如图1所示,由PMOS管M3,PMOS管M4,PMOS管M5,以及NMOS管M1,NMOS管M2和电阻RB组成。由此组成的电流产生电路,和电源电压无关,但和温度有关。因为电阻的阻值是随着温度的变化而变化的。具体电流的计算公式如下:其中,RB是电阻阻值,μN是NMOS管沟道中电子的迁移率,Cox是NMOS氧化层单位面积电容量,是NMOS管M1的沟道宽度与长度之比,是NMOS管M2的沟道宽度与长度之比。因为RB...
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