技术编号:12307683
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,尤其涉及一种晶体管及其形成方法。背景技术MOS(金属-氧化物-半导体)晶体管是一种重要的晶体管,MOS晶体管的基本结构包括:半导体衬底;位于半导体衬底表面的栅极结构;分别位于栅极结构两侧半导体衬底中的源漏区。所述栅极结构包括位于半导体衬底的栅介质层和位于栅介质层表面的栅电极层。形成MOS晶体管的工艺包括:提供半导体衬底;在所述半导体衬底表面形成栅极结构;在所述栅极结构两侧的半导体衬底中形成源漏区。在后段工艺中,还包括:形成覆盖所述栅极结构和半导体衬底的层间介质层;形成贯...
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