技术编号:12307987
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例涉及用于制造半导体结构的方法。背景技术半导体用于集成电路中以实现包括收音机、电视、蜂窝电话和个人计算设备的电子应用。一种知名的半导体器件是半导体存储器件,例如动态随机存取存储器(DRAM),或者闪存,其两者都是使用电荷来存储信息。半导体存储器件方面的更最新发展涉及自旋电子,其将半导体技术与磁性材料和器件结合。电子的自旋极化而不是电子的电荷属性被用于指示状态“1”或“0”。一个这种自旋电子器件是自旋扭矩转换(STT)磁性隧道结(MTJ)器件。MTJ器件包括自由层、隧道层和固定层。通过应...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。