技术编号:12308405
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光电子技术领域,更具体地说,尤其涉及一种半导体激光器以及制作方法以及设备。背景技术半导体激光器(LaserDiode,简称:LD)具备极小的芯片尺寸、很高的电光转换效率以及输出功率,在固体激光泵浦、激光加工、激光医疗以及激光雷达等领域应用极其广泛。对于固体激光泵浦以及激光加工等领域需要半导体激光器模块具备上千瓦甚至万瓦级功率的要求,因此需要对多个半导体激光器单元进行光束合束后耦合至光纤中形成一束激光,进而也就需要半导体激光器单元具有高的光束质量以提高耦合效率,并且为了减小半导体激光器成...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。