技术编号:12308968
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,特别是涉及一种表面声波器件及其制造方法、温度检测设备。背景技术化学气相沉积工艺是在半导体制造过程的一种常见工艺。例如在晶圆上进行的外延层的制造中,通常是在一个单一的晶圆为基础的反应器中进行化学气相沉积。如图1所示,在这一过程中,这个单一的晶圆2放置在基座1上,被卤素灯3加热到1100℃左右。考虑到晶圆2边缘和中心之间的温度差异会导致热应力引起的错位(被称为移线(slipline)),因此获悉晶圆2内的整体温度分布是必不可少的,如此才有可能提供高品质的外延层。通过测量温度...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
该类技术注重原理思路,无完整电路图,适合研究学习。