技术编号：12314781
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本实用新型属于半导体功率器件技术领域，具体涉及一种低压超级结沟槽掩膜板。背景技术目前，如图1现有的低压超级结沟槽掩膜板为单一源极区域设计，导致靠近栅极拐角只能实施直角形沟槽如图3。发明内容有鉴于此，本实用新型的主要目的在于提供一种低压超级结沟槽掩膜板，。本实用新型所采用的技术方案为：一种低压超级结沟槽掩膜板，其特征在于：所述沟槽掩膜板的源极区沟槽为分区并联的图形，令靠近栅极的沟槽拐角实施直角、弧形、斜角。所述沟槽拐角位于沟槽掩膜板左边中间区域两个拐角。本实用新型具有以下优点：本实用新型的低压超级...
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