技术编号：12331930
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及研磨加工领域，具体涉及一种用于加工软脆性晶体材料的研磨垫及其制备方法。背景技术半导体衬底的制备需要经过长晶、切割、研磨和抛光等机械加工过程，研磨过程主要是去除切割产生的划痕并为化学机械抛光奠定基础，研磨质量的好坏将直接影响到后期衬底抛光的成功与否。制备软脆性晶体衬底使用常规的加工工艺往往是不合适的，比如蓝宝石的研磨方案，即首先使用碳化硼和铸铁盘进行粗磨随后使用金刚石和铜盘进行精磨的两步方案，此方案加工软脆性晶体结果存在如下的问题，（1）软脆的晶体硬度远比蓝宝石要低，用蓝宝石研磨方案中粗...
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