技术编号:12331932
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及氧化剂单晶研磨用品领域,具体涉及一种氧化镓单晶用的研磨垫及其制备方法。背景技术应用氧化镓单晶(β-Ga2O3)为衬底制备白色LED首次展出时间为2013年初,氧化镓是一种新型的宽禁带半导体材料,物化性能稳定,十分适合于半导体照明产业的应用。但是氧化镓存在较强的解理属性,在机械加工过程中晶体表面容易发生解理断裂,其中解理现象的发生主要集中在超精密研磨阶段,最终导致目标产品的加工失败。由于氧化镓是新型晶体材料,目前文献上关于该材料的加工工艺介绍很少,因此如何有效快速的实现氧化镓的超精密研磨...
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