技术编号:12338896
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及生产多晶硅的方法。背景技术多晶硅是单质晶体硅的一种形态,其具有优异的半导体特性,在光伏行业和微电子行业得到了广泛应用,如半导体器件、集成电路和太阳能电池片等,都是由硅材料制备而成。目前,国内外80%以上的多晶硅生产企业,均采用比较成熟的改良西门子法进行多晶硅生产。其生产原理是三氯氢硅和氢气被通入到钟罩式的多晶硅还原炉反应腔内,在1100℃左右的硅芯表面发生CVD还原化学反应,反应生成的硅晶微粒沉积在硅芯表面,使得硅芯直径不断变粗形成多晶硅棒,由此方法制备而成的多晶硅,其纯度可达到99....
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。