技术编号：12347492
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及硅太阳能电池制造技术，尤其涉及一种用于多管PECVD设备的自动上下料系统及其方法。背景技术在硅太阳能电池的制造工艺过程中，通常需要采用薄膜沉积工艺进行硅片的镀膜以减少反射，提高太阳能电池效率。镀膜的方法有很多，等离子体增强化学气相沉积（PECVD，全称为PlasmaEnhancedChemicalVaporDeposition）应用较为广泛，该方法是对硅片进行氮化硅真空镀膜，其原理是利用低温等离子体能量源，将样品置于低气压辉光放电的阴极上，利用辉光放电(或者另外配置发热体)使样品升温到...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。