技术编号：12347818
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及晶体材料，特别涉及一种高导电性钽酸锂晶体基片的黑化处理方法。背景技术钽酸锂晶体(分子式LiTaO3，简称LT晶体)，作为声表面波滤波器的衬底材料，具有机电耦合系数大、频率温度系数小、插入损耗低等突出的优点，广泛应用于高频(2GHz附近)频域SAW滤波器件中，在智能手机以及其它高端智能便携式通讯电子终端产品中具有巨大的市场前景。LT晶体一般采用感应铱坩埚提拉法(Czochralski法)在通氮气与氧气混合气氛下生长，生长降温结束后LT晶体从炉膛取出(参见AlbertA.Ballman:J...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。