技术编号:12352810
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种具有规则立方体结构的氢氧化铟光催化剂的制备方法,具体涉及一种水热法制备具有规则立方体结构的氢氧化铟光催化剂的方法。背景技术氢氧化铟是一种禁带宽度为5.15eV的宽禁带半导体,在半导体和光学性质上具有独特性,且具有较高的光催化活性,而且光催化活性稳定,对甲苯和苯等挥发性有机物的矿化程度高,可以有效地净化挥发性有机物,此外还被广泛应用于碱性电池中用作缓蚀剂、催化剂工业和制备氧化铟的前驱体,同时它是制备铟锡氧化物的原料,在光电显示领域中具有重要的作用。因为氢氧化铟的性能不仅取决于晶粒的尺...
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