技术编号:12353289
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光催化材料制备技术领域,具体涉及一种复合金纳米团簇抑制硫化镉光腐蚀的方法及其制备方法。背景技术CdS是一种良好的窄带半导体(2.4eV),对可见光有优异的光电转化性能,被广泛用于光敏材料、光催化剂和太阳能电池等光电领域。但CdS光稳定性差,在光激发下容易发生自腐蚀,极大降低了光电转化的效率,大大限制了它的应用。此外,因光腐蚀将部分光生电荷用于氧化或还原半导体自身,降低了光生电荷的利用效率,并且破坏了半导体的本体结构,向水体或空气中引入有毒的重金属离子(Cd2+)、硫氧化物和氮氧化物等污...
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