技术编号：12363548
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及数据存储领域，尤其涉及一种3D闪存的控制方法和系统。背景技术传统内存芯片的存储模式以平面分布为基础,所有存储单元均分布于二维平面当中。3D闪存，是通过将原本平铺的存储单元堆叠起来，形成多层结构，来提供容量。现有的3D闪存，可将其分为若干层，每层有若干行，每行有若干个物理块。在此结构特点下，3D闪存具有以下性能特点，一方面，当对3D闪存进行数据读写操作访问时，其每层物理块的访问速度要快于层间的访问速度；另一方面，当对3D闪存中某个物理块进行写操作或擦除操作时，该物理块周围同层的物理块比不...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。
请注意，此类技术没有源代码，用于学习研究技术思路。