技术编号:12364739
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,具体涉及一种高压半导体器件短期失效模型的建模方法。背景技术近十年来,高压半导体器件,如IGBT,以其耐压高、电流大、开关频率高和驱动功率小等优点,已经成为中大功率场合应用最为广泛的电力电子主动开关器件。高压半导体器件短期失效是指单个或若干个开关周期内,由于过压、过流、过di/dt、过dv/dt等等过应力因素造成的短时间内发生的严重的器件失效。如保护不当,单个高压半导体器件的失效极有可能造成整个电力电子装置发生故障,破坏性巨大。因此研究电力电子装置中高压半导体器件的失效行...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
请注意,此类技术没有源代码,用于学习研究技术思路。