技术编号:12368857
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及存储控制技术领域,特别是涉及一种差分激励电路。背景技术现有技术中的存储电路,如闪存(Flash)、静态随机存取存储器(StaticRandomAccessMemory,SRAM)、动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory,DRAM),及带电可擦可编程只读存储器(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory,EEPROM)等,通常需要高压作为激励电路。在执行存储器的读写和擦除操作时,通常需要在开关管的源端与栅...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。
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