技术编号：12369401
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于二硫化钼纳米材料的合成技术领域，具体涉及一种2H相单层二硫化钼纳米片的制备方法。背景技术二硫化钼具有典型三明治层状结构，由于其层间相对较弱的范德华力，也可以剥离成单层或少层数的纳米片，被认为是另外一种相当重要的二维纳米片材料，具有独特的物理、化学和电学特性。Radisavljevic等人测试表明单层MoS2的电导率要比块体MoS2提高100个数量级，使得其在电子器件及电子传感器中有着优越的性能（Nat.Nanotechnol.2011,6,147）；Mak等人通过计算模拟表明MoS2从...
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