技术编号:12369603
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于纳米材料制备领域,涉及一种具有网状表层的原位Al掺杂SiC纳米线的制备方法及其作为场发射阴极材料的应用。背景技术SiC是一种重要的第三代半导体材料,其低维纳米结构由于具有高的禁带宽度,高的电子饱和迁移率和热导率、小的介电常数和较好的机械性能等优异特性,在微纳米光电器件等领域有着广泛的应用前景。近年来,由于SiC低维纳米结构在平板显示器和场发射电子枪等领域中的潜在应用,逐渐引起了国内外研究人员的广泛关注。为了推动SiC低维纳米结构作为场发射阴极材料的实际应用,研究人员在其形貌调控方面做了...
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