技术编号:12369640
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及刻蚀技术领域,尤其是涉及一种干刻蚀电极及刻蚀机。背景技术干刻蚀(DryEtching)是用等离子体进行薄膜刻蚀的技术,在半导体工艺和薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilmTransistor-LCD,TFT-LCD)制造工艺有广泛应用。在TFT-LCD阵列基板的制作过程中,通常利用干刻蚀方式去除基板表面的薄膜而形成所需电路图形。干刻蚀过程中,高频电压将反应气体部分电离为等离子体,相互配合的上部电极和下部电极之间形成电场,等离子体在电场作用下,对放置在下部电极上的基板上的薄膜进行刻蚀。由...
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