技术编号:12369663
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体生产和加工领域,更具体的说,涉及一种半导体工艺中去除残余物质的方法。背景技术随着半导体技术的持续发展,半导体硅片的结构已变得非常复杂,但多样化的半导体加工手段同样也层出不穷,为人们提供了进一步提高半导体产品品质的有效途径。在一些半导体刻蚀工艺中,含氟(F)的刻蚀剂与硅片中的含钛(Ti)的半导体层结构相接触并发生反应,很容易产生一些副产物附着于硅片的表面,比如TiF4。TiF4这种残余物质比较顽固,且肉眼几乎难以察觉,如果对这些残存的TiF4不加处理,会影响后续工艺,导致半导体器件...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。