技术编号:12369706
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于碳化硅半导体器件制备技术领域,具体地讲,涉及一种碳化硅半导体器件的退火方法。背景技术和传统的Si单晶相比,SiC单晶具有禁带宽度大、临界击穿场强高、饱和漂移速率大和热导率高等优势,特别适合于制备大功率、高频率的电子器件。由于杂质在SiC单晶中的扩散速率非常小,通过扩散的方式难以对SiC进行有效地掺杂,因此离子注入成为了对SiC进行掺杂的必然选择;然而,对于SiC而言,在离子注入后激活杂质所需的退火温度一般都在1500℃以上,在如此高的温度下,一方面,所注入的元素很可能从SiC表面逸出,...
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