技术编号:12369799
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体芯片制造工艺领域,尤其涉及一种半导体器件制造方法。背景技术在以下半导体制造工艺中,如CMOS工艺、DMOS工艺、BCD工艺和LDMOS工艺等,为了激活注入的源区离子和漏区离子,或者修复因注入导致半导体表面的晶体损伤,都会设置进行源漏退火工艺的步骤,温度一般在800~950C,时间在30~60min,一般是通入氮气(N2)。在源漏退火工艺之后的工艺步骤,一般就是进行介电层沉积,具体包括:先沉积一层不含任何掺杂离子的氧化硅层,然后再沉积一层掺杂有离子的氧化硅层。由于氧化硅在高温下是可...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。