技术编号:12369801
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体技术领域,尤其涉及一种射频横向双扩散金属氧化物半导体及其制造方法。背景技术射频横向双扩散金属氧化物半导体(RadioFrequencyLaterallyDiffusedMetalOxideSemiconductor,RFLDMOS)区别于其他功率器件的最典型特征,在于其源极从背面引出,这样可以避免封装时的绑定线(Bondwires)带来的源极寄生电感,提高RFLDMOS工作速度。传统工艺中,源极从背面引出的方法,一般是通过大剂量大能量的注入,然后通过长时间高温推进,让离子穿透外延...
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