技术编号:12369805
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体制造领域,特别涉及一种晶体管的制造方法。背景技术随着集成电路制造技术的不断发展,MOS晶体管的特征尺寸也越来越小,为了降低MOS晶体管栅极的寄生电容、提高器件速度,高K栅介电层与金属栅极的栅极结构被引入到MOS晶体管中。“后栅(Gate-Last)”工艺被广泛地应用于高K栅介电层与金属栅极的制造工艺中。与“前栅(Gate-First)”工艺相比,后栅工艺制作的器件可以避免源区或漏区退火对晶体管其他结构的影响。因此采用后栅工艺制作的器件稳定性更高。参考图1至图3,示出了现有技术中工...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。