技术编号：12369858
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及化学机械平坦化技术领域，特别涉及一种CMP全工艺过程金属膜厚数据的离线处理方法。背景技术化学机械平坦化(ChemicalMechanicalPlanarization，CMP)技术是当今最有效的全局平坦化方法。它利用化学腐蚀和机械磨削的协同作用，可以有效兼顾晶圆局部和全局平坦度，并已在超大规模集成电路制造中得到了广泛应用。对于CMP工艺，需要严格控制材料的去除量。若不能实现有效的监控，将无法避免晶圆“过抛”或者“欠抛”等情况的出现。对于铜CMP工艺，电涡流方法是一种低成本的非接触式测量...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。