技术编号：12369939
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域，具体地，本发明涉及一种半导体器件及其制备方法、电子装置。背景技术随着半导体器件尺寸的不断缩小，半导体器件的制备工艺受到挑战，例如在半导体器件中用于互连的接触孔、通孔等的制备变的更加困难。以接触孔的制备为例，通常接触孔的制备包括首先在前端器件上形成层间介电层、掩膜层，然后图案化所述掩膜层，以形成接触孔开口，然后以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述层间介电层，以将所述开口图案转移至所述层间介电层中，但是在该蚀刻过程中通常会产生大量的聚合物，所述聚合物需要在后续的过程中通过湿法清洗去除，由...
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