技术编号:12369987
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体制造领域,尤其涉及一种半导体器件的制造方法。背景技术目前,在先进的CMOSFET(互补金属氧化物半导体场效应晶体管)制造工艺的集成研究可大概分为两个方向,即前栅工艺和后栅工艺。后栅工艺目前广泛应用于先进的集成电路工艺制造中,其通常是先形成伪栅和源漏区,而后去除伪栅并在栅沟槽中重新形成高k金属栅堆叠的替代栅极。由于栅极形成在源漏极之后,此工艺中栅极不需要承受很高的退火温度,对栅层材料选择更广泛并且更能体现材料本征的特性。由于半导体器件尺寸不断缩小,对半导体器件的性能也提出了更高的要...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。