技术编号:12370003
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体领域,尤其涉及一种半导体存储器及其制造方法,特别是对MTP(Multi-TimeProgrammable,可多次编程)存储器。背景技术随着电子设备性能需求的不断提高,MTP存储器被越来越广泛地作为各电子设备的存储器件而被使用。MTP存储器具有可多次数据的存入、读取和擦除等动作,无需持续地施加电能就可以存储数据且存储的数据在断电后不会消失,并且通过施加一定的电压就能实现数据的擦除。图1A为传统的MTP存储器的俯视图,图1B为图1中沿A-A’方向的结构剖面图。传统的MTP存储器为双晶...
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