技术编号:12370160
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种非挥发性存储器装置(non-volatilememorydevices),特别是涉及一种立体垂直栅极存储器阵列(3Dverticalgatememoryarray)。背景技术NAND存储器阵列采用高压开关晶体管来隔离来自于阵列和来自于感测放大器的擦除电压。虽然读取和写入采用相对较低的电压,但擦除操作却耦接了一个高强度的电压至阵列。因此采用高压开关晶体管将阵列与感测放大器电性分离(electricallydecouple),以防止PN结崩溃(junctionbreakdown)。一般...
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