技术编号:12370180
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种像素结构,尤其涉及一种具有氧化物半导体的像素结构及其制造方法。背景技术氧化物半导体(oxidesemiconductor)是具有半导体特性的氧化物。导电率随氧化气氛而增加的称作氧化型半导体(p型半导体);导电率随还原气氛而增加的则称还原型半导体(是n型半导体)。氧化物半导体ZnO(ZincOxide)、CdO(CadmiumOxide)、SnO2(Tin(IV)Oxide)等常用于制造气敏组件,Fe2O3(FerricOxide)、Cr2O3(Chromium(III)Oxide)...
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