技术编号:12370262
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及有机发光显示技术领域,具体涉及一种有机发光显示装置,还涉及该有机发光显示装置的制造方法。背景技术基于半导体氧化物的薄膜场效应晶体管是未来显示领域的热点,近年来得到了广泛的研究和发展。基于薄膜场效应晶体管(TFT)的有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)的最基本的结构是2T1C结构。如图1所示,2T1C结构由两个薄膜场效应晶体管以及位于二者之间的存储电容Cst组成。作为有源沟道层的无定形铟镓锌氧化合物(a-IGZO)薄膜的迁移率可高达80cm2/Vs(无定型硅的迁移率仅为0.5~0.8c...
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