技术编号:12370287
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明属于半导体技术领域,具体的说涉及一种横向高压功率器件的结终端结构。背景技术高压功率集成电路的发展离不开可集成的横向高压功率半导体器件。横向高压功率半导体器件通常为闭合结构,包括圆形、跑道型和叉指状等结构。对于传统叉指状结构曲率终端区的衬底浓度很低,而漂移区的浓度相对较高,因此衬底无法充分辅助耗尽漂移区,这对器件得到高的击穿电压和可靠性有一定的影响。公开号为CN102244092A的中国专利公开了一种横向高压功率器件的结终端结构,图1所示为器件的版图结构,器件终端结构包括漏极N+接触区、N型...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。