技术编号:12370299
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及光电显示技术领域,特别涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。技术背景在现有技术中,为了提高薄膜晶体管的迁移率,可采用上下双栅结构以在半导体层感应出双沟道来增大导电通道。图1为现有技术所提供的一种具备双栅结构的薄膜晶体管的结构示意图。如图1所示,该薄膜晶体管的上栅极1重叠覆盖于源极2和漏极3上方。当上栅极1和下栅极4都达到开启电压(开启电压为一种阈值电压,当栅极的电压高于该开启电压时,即可在半导体层中感应形成导电沟道)时,可在半导体层5中感应形成相互平行的上下两个导电沟道。由于上栅极1重叠覆盖...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。