技术编号：12370303
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及半导体集成技术领域，尤其涉及一种垂直集成双栅MOSFET结构及其制备方法。背景技术半导体技术作为信息产业的核心和基础，被视为衡量一个国家科学技术进步和综合国力的重要标志。随着MOS器件特征尺寸的不断等比例缩小，集成电路集成度不断提高，按每18个月翻番这样的摩尔定律发展已经越来越困难。但是在特征尺寸到90纳米时，传统的硅基CMOS器件面临着越来越多的问题，引入新结构、新材料已经成为后摩尔时代的解决方案之一。传统的MOSFET器件结构在器件栅长不断减小的过程中，短沟效应、源漏穿通、掺杂涨落...
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