技术编号:12370308
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种金属/半导体结,尤其涉及一种肖特基接触及其制备方法。背景技术近年以来,由于Ⅲ-Ⅴ族半导体InP具有诸如直接能带结构,高电子迁移率(2.5×107cm/s),长吸收通讯波长(1.31μm,1.55μm)的优点,其在近红外波段高速光电器件,高功率微波器件中得到了广泛的应用,在此类半导体器件研究当中,InP和金属的接触往往是必不可少而十分重要的。一般来说,按照其接触的整流特性进行区分,半导体/金属的接触可被划分为欧姆接触和肖特基接触。对于不具整流特性的欧姆接触,无论其外加电压级性如何,我...
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